El FET de Potencia RA33H1516M1-325 es un transistor de efecto de campo de alta potencia diseñado específicamente como componente de repuesto para el equipo de comunicaciones marítimas IC-M506. Este dispositivo semiconductor ofrece excelente rendimiento en aplicaciones de conmutación de potencia, proporcionando alta eficiencia y confiabilidad en sistemas de radio marítima.
Características Principales
- Componente de repuesto específico para equipos IC-M506 de comunicaciones marítimas
- Transistor de efecto de campo (FET) de alta potencia
- Corriente máxima de 15A para manejo de cargas significativas
- Tecnología de montaje superficial para integración en PCB
- Diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia en equipos de radio
- Alta eficiencia y bajo consumo de potencia
- Compatibilidad total con el circuito original del IC-M506
Detalles Técnicos
Especificaciones
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 325V
- Corriente de drenaje continua (Id): 15A
- Tipo de encapsulado: Montaje superficial (SMD)
- Tensión umbral puerta-fuente: Específica del modelo
- Resistencia térmica: Optimizada para disipación
- Temperatura de operación: -55°C a +150°C
- Material del semiconductor: Silicio
Interfaces y Conectividad
- Terminales: 3 pines (Drenaje, Fuente, Puerta)
- Compatibilidad eléctrica con circuitos IC-M506
- Diseño para soldadura superficial en PCB
- Patrón de pines estándar para montaje SMD
- Compatibilidad con procesos de soldadura por reflujo
Aplicaciones y Casos de Uso
Equipos de Comunicación Marítima
Componente de repuesto para radios marítimas IC-M506
Sistemas de Potencia RF
Etapas finales de amplificación en equipos de radio
Mantenimiento y Reparación
Reemplazo de componentes en equipos de comunicaciones
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